Samsung 1.000 kat hızlı RAM'ini tanıtacak!
Samsung, RAM teknolojileri konusunda MRAM ile yeni bir devri başlatacak. Mevcut NAND çözümlerinden 1.000 kat hızlı MRAM'in detayları haberimizde.
Samsung, kendi türünün en hızlı belleğini hazırladı. Firma bu RAM'leri 24 Mayıs tarihinde düzenlenecek olan bir etkinlikte göstermek istiyor. MRAM olarak adlandırılan bu RAM'ler, bellek okuma ve yazma için spin tork aktarım teknolojisini kullanıyor. MRAM'ler mevcut NAND çözümlerinden 1.000 kat daha hızlı veri yazabiliyor. MRAM ayrıca neredeyse sıfıra yakın bir güç tüketecek.
1.000 kat daha hızlı ifadesi doğru olamayacak kadar iyi gözüküyor, değil mi? Peki, bu işin kötü tarafı ne? Samsung, şu anda birim başına birkaç megabayttan fazla ürün üretemiyor. Bu nedenle MRAM şu an için işlemcilere ek önbellek olarak kullanılabiliyor.
Gelecek dönemlerde IoT cihazlarında ve akıllı telefonlar da dahil olmak üzere daha fazla elektronik cihazda MRAM teknolojisinin kullanılması bekleniyor.
Sunduğu yüksek hıza rağmen düşük güç tüketen MRAM, bir işlemcinin en yüksek performansta çalışmasına yardımcı olmak amacıyla üretilen bellek türleri için ideal olarak gösteriliyor. Bakalım MRAM teknolojisi son kullanıcı ile ne zaman buluşacak?
