Samsung ve SAP yeni nesil bellek teknolojisi için kolları sıvadı
Samsung ve SAP, birlikte kurdukları Açık Araştırma Merkezi’nde bellek teknolojisini geliştirerek daha hızlı veri işleme ve anında analiz sonuçları elde edecek çözümler hedefliyor
Samsung Electronics ile SAP, yeni nesil bellek teknolojisinde kullanılacak bellek çözümleri için birlikte kurdukları araştırma merkezinin açılışını gerçekleştirdi. Samsung’un Güney Kore'deki Hwaseong yerleşkesinde düzenlenen törene, Samsung Electronics’in Bellek Birimi Başkanı Dr. Young-Hyun Jun ile SAP Asya Pasifik Japonya Başkanı Adaire Fox-Martin katıldı.
Dünya lideri iki kuruluş arasındaki ortaklığın genişletilmesi kapsamında kurulan araştırma merkezinde, daha hızlı veri işleme ve sayısı hızla artan veriler üzerinde daha kapsamlı analizler gerçekleştirme sağlayan bellek teknolojisinin geliştirilmesi hedefleniyor. Yeni nesil DRAM için en gelişmiş araştırmayı yürüterek, bunların ticarileştirilmesi üzerinde birlikte çalışacak olan iki şirket, küresel pazarda ileri düzeyde müşteri çözümleri sunmayı amaçlıyor.
Araştırma merkezinde Samsung ile SAP, SAP HANA platformunun test uygulamaları ile Samsung'un en yeni yüksek performanslı ve yoğunluklu bellek çözümlerini buluşturuyor. Bununla birlikte teknik destek hizmetiyle küresel müşterilere optimize iç bellek çözümleri de sunuyor. Merkezdeki sunucu sisteminde kullanılan 24 TB iç bellek platformu, Samsung’un 20 nanometrelik işleme devresiyle tasarlanan 128 GB DDR4 3DS (üç boyutlu yığılmış) DRAM modüllerine dayanıyor.
Şirketler önümüzdeki yıl sistemin genel performansını ve güç verimini geliştirmek için 10 nm sınıfı 256 GB 3DS DRAM modülleri uygulamayı planlıyor. Bu geliştirmenin, Samsung ve SAP müşterilerine daha yüksek bir yatırım getirisi sağlayacak bir iç bellek sistemini beraberinde getirmesi bekleniyor.